থার্মোইলেকট্রিক এয়ার থেকে প্লেটিয়ার কুলার 12 ভি ডিসি উচ্চ দক্ষতা প্লেট করতে হবে

থার্মোইলেকট্রিক এয়ার টু প্লেট কুলার পেলটিয়ার কুলার কোল্ড প্লেট কুলিং

পেলটিয়ার প্লেট কুলার এটিপি 050-12ভিডিসি-এটি

পেলটিয়ার মডিউল (টিই), যাকে পেলটিয়ার কুলিং ডিভাইসও বলা হয়, হিট পাম্প।

পেলটিয়ার মডিউলটি ডিসি কারেন্টের অপারেশনের জন্য। এটি গরম করার সময় ফ্রিজে রাখতে পারে। শীতলকরণ বা হিটিং অর্জনের জন্য একই রেফ্রিজারেশন ইউনিটের মেরুতা নির্ধারণের জন্য ডিসি কারেন্ট পরিবর্তন করে। এই প্রভাবটি তাপীয় নীতি দ্বারা উত্পাদিত হয়, নিম্নলিখিত পরিকল্পনাটি রেফ্রিজারেশনের একক-চিপ ডিভাইস, এটি দুটি সিরামিক রচনা সমন্বিত করে, যা এন-টাইপ এবং পি-টাইপ অর্ধপরিবাহী উপাদান (বিসমথ টেলুরাইড) এর মধ্যে রয়েছে। সার্কিটের অর্ধপরিবাহী উপাদানগুলি সিরিজ ফর্ম অবিচ্ছেদ্য লিঙ্কে ব্যবহৃত হয়

পেলটিয়ার মডিউলগুলি, কার্যকরী নীতিটি হ'ল: যখন এন-টাইপ পেল্টিয়ার এলিমেন্ট এবং একটি পি পেল্টির উপাদান গ্যালভ্যানিক রাইটের সাথে মিশে থাকে DC পি-টাইপ সংযোগকারী উপাদানগুলির এন-প্রবাহ উপাদানগুলি তাপ-শোষন করে যেমন এন-টাইপ সংযোজক উপাদানগুলির শীত-শেষ পি-ফ্লো উপাদানগুলি তাপকে শেষ হিসাবে ছেড়ে দেয়। অর্ধপরিবাহী উপাদানের বর্তমান আকারের আকার দ্বারা এন্ডোথেরমিক এবং এক্সোথেরমিক এন, পি কয়েকটি সিদ্ধান্ত নেওয়ার জন্য কয়েকটি উপাদান, নিম্নলিখিতটি হ'ল থার্মোইলেক্ট্রিক শীতল প্রভাব।

1, স্যাব্যাক এফেক্ট (স্বেচ্ছাসেবক প্রভাব)
1822 জার্মান সিবেক আবিষ্কার করেছে যে যখন দুটি পৃথক কন্ডাক্টর সংযুক্ত থাকে, যদি তাপমাত্রায় দুটি ভিন্ন পয়েন্ট সংযোগ করে তবে একটি কন্ডাক্টরের তাপমাত্রায় উত্পন্ন EMF:

2, পার্লে প্রভাব পড়ছে (পেল্টিয়ারের প্রভাব)
1834 ফরাসি পারলে নোট সিলব্যাকের প্রভাবের সাথে পাওয়া গেছে, যখন ট্যাপের দুটি পৃথক কন্ডাক্টর গঠনের মাধ্যমে বর্তমান প্রবাহিত হবে, তখন ট্যাপটি সিদ্ধান্তের আকারের দ্বারা বহির্মুখী এবং এন্ডোথেরমিক, এক্সোথেরমিক বা এন্ডোথেরমিক বর্তমান আকার তৈরি করবে।